기술개발 내용 및 특징

차세대 반도체 MCP 핵심기술 개발

● 차세대 반도체 MCP 핵심기술 개발

- TSV(Through-Silicon Via) 기반 차세대 반도체 패키지 실용화를 위한 핵심 원천공정 및 장비기술
* TSV : 지름 5~30㎛, 종횡비 (Aspect Ratio: AR) 7~10, 정도로 실리콘 칩을 관통하여 hole을 형성한 후, 구리(Cu) 혹은 전도성 소재를 채워 넣은 수직방향의 전극구조. 기존의 칩 접속방법인 와이어 본딩, 솔더 본딩 방법에 비해 접속 길이를 획기적으로 줄임으로써, 고성능 메모리 스택(stack)이나, 시스템반도체/메모리 스택을 구현하여 차세대 모바일 기기, 그래픽 칩의 성능을 크게 향상시킬 수 있음.
- 초박형 12인지 웨이퍼와 칩(두께 : ‹50㎛)을 초정밀/고속으로 핸들링하고, 2㎛ 이하 정렬도로 적층하기 위한 초박형 다층패키지 3D 적층 공정 및 본딩/디본딩 장비기술 개발, 기술 이전